芯片正装单面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构

摘要

本发明涉及一种芯片正装单面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板正面面去除部分绿漆；化学蚀刻；电镀金属线路层；涂覆粘结物质；装片；金属线键合；包封；基板背面开孔；清洗；植球；切割成品。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

主权项

一种芯片正装单面三维线路先蚀后封制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜在金属基板表面镀一层铜材薄膜；步骤三、绿漆被覆在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面分别进行绿漆的被覆；步骤四、金属基板背面去除部分绿漆利用曝光显影设备将步骤三完成绿漆被覆的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形绿漆；步骤五、电镀惰性金属线路层在步骤四中金属基板背面去除部分绿漆的区域内电镀上惰性金属线路层；步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上多层或是单层金属线路层； 步骤七、绿漆被覆在金属基板的背面进行绿漆的被覆；步骤八、金属基板背面去除部分绿漆利用曝光显影设备将步骤四完成绿漆被覆的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形绿漆；步骤九、电镀金属线路层在步骤六中的金属线路层表面镀上多层或是单层金属线路层；步骤十、绿漆被覆在金属基板的背面进行绿漆的被覆；步骤十一、金属基板背面去除部分绿漆利用曝光显影设备将步骤十完成绿漆被覆的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形绿漆；步骤十二、覆上线路网板在金属基板背面覆上线路网板；步骤十三、金属化前处理在基板背面进行电镀金属线路层的金属化前处理；步骤十四、移除线路网板将步骤十二的线路网板移除；步骤十五、电镀金属线路层在金属基板背面镀上多层或是单层金属线路层； 步骤十六、绿漆被覆在金属基板的背面进行绿漆的被覆；步骤十七、金属基板正面面去除部分绿漆利用曝光显影设备将金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形绿漆；步骤十八、化学蚀刻将步骤十七中完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；步骤十九、电镀金属线路层在惰性金属线路层表面镀上单层或是多层的金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的引脚或基岛和引脚或基岛、引脚和静电释放圈；步骤二十、涂覆粘结物质当步骤十九仅形成引脚时，在引脚表面涂覆导电或是不导电的粘结物质，当步骤十九形成基岛和引脚或基岛、引脚和静电释放圈时，在基岛表面涂覆导电或是不导电的粘结物质；步骤二十一、装片在步骤二十的基岛或引脚上植入芯片；步骤二十二、金属线键合在芯片正面与引脚正面之间或芯片正面与静电释放圈正面之间进行键合金属线作业；步骤二十三、包封将完成装片打线后的金属基板正面进行塑封料包封工序；步骤二十四、金属基板背面开孔在金属基板背面对后续要植金属球的区域进行开孔作业；步骤二十五、清洗在金属基板背面开孔处进行氧化物质、有机物质的清洗；步骤二十六、植球在金属基板背面绿漆开孔处内植入金属球；步骤二十七、切割成品将步骤二十六完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单芯片正装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构，可采用常规的钻石刀片以及常规的切割设备即可。