发明名称 |
一种GaN HEMT器件可靠性在片筛选的方法 |
摘要 |
本发明是一种GaNHEMT器件可靠性在片筛选的方法,其特征是首先搭建在片电致发光光谱测试平台,再于暗室中将GaN异质结HEMT器件圆片置于探针台上,将探针分别压在栅、源、漏三个电极之上;使源极接地,漏极加一定的正向偏压,栅极加负向偏压Vgs并使Vgs从夹断电压Vp到0V变化,用光谱测试系统测试GaN异质结HEMT器件的发光强度随栅压的变化关系,取发光强度最大的偏压点Vgsm,在该条件下对器件的发光光谱进行测试,通过对光谱进行分析,实现对器件可靠性的评价。优点:可实现在片筛选,避免了划片、封装等一系列可靠性筛选的准备工序,同时无需长时间加电应力,缩短可靠性筛选的时间,节约成本,工作效率提高。 |
申请公布号 |
CN102721913A |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN201210193942.7 |
申请日期 |
2012.06.13 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
发明人 |
孔月婵 |
分类号 |
G01R31/26(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2006.01)I |
代理机构 |
南京君陶专利商标代理有限公司 32215 |
代理人 |
沈根水 |
主权项 |
一种GaN HEMT器件可靠性在片筛选的方法,通过测量电致发光强度和光谱实现高可靠性器件的筛选,其特征是该方法包括如下工艺步骤:一、搭建GaN HEMT器件在片电致发光光谱测试平台并置于暗室;二、基于上述测试平台测试漏压Vdsc,GaN HEMT器件发光强度随栅压Vgs的变化关系;三、取发光强度最大的偏压点Vgsm作为偏置条件进行发光图像采集以及光谱测试;四、对获得的发光图像及发光光谱进行分析,实现对器件可靠性的评价。 |
地址 |
210016 江苏省南京市中山东路524号 |