多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法

摘要

本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达50％，微针针孔与基底垂直，阵列中微针为多根针头或单根针头，微针长度达100-200μm，针孔最小为2nm，且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟采用电化学腐蚀方法在硅片上制作规则排布的多孔硅，然后刻蚀出针头，简化了针头的制作工艺，降低了成本，其特征在于针孔由电化学腐蚀方法制作，深宽比大、直径小。可阻止微生物通过注射孔进入组织，避免生物组织因注射而被感染，且提高药物输送效率。

主权项

制备多孔硅无痛注射的微针阵列的方法，其特征在于制备步骤是：①基底材料硅片表面预处理，正面光刻定义凹点图形，用各向异性腐蚀液刻蚀出凹点作为孔的形核中心，背面蒸镀金属，退火形成欧姆接触；②将硅片放入电解槽，正面暴露于电解液中，背面金属膜层与电源阳极相连接，电源阴极浸在电解液中并进行电化学腐蚀，形成针孔；③沉积薄膜将针孔堵住；④光刻，腐蚀形成下一步刻蚀针头的掩膜；⑤等离子体刻蚀出针头，利用钻刻形成针尖；⑥用磷酸腐蚀除去掩膜，背面刻蚀至针孔的另一端，打通针孔；⑦将制备好的针头阵列与注射器连接。