发明名称 金属纳米颗粒复合材料及其制备方法
摘要 一种金属纳米颗粒复合材料及其制备方法,该金属纳米颗粒复合材料包括沉积在基片上的金属层、相变材料层和保护层的多层结构薄膜,在所述的相变基质材料中分散分布有金属纳米颗粒的复合材料。制备方法是利用脉冲激光辐照沉积在基片上的金属层/相变层/保护层薄膜结构上,使被辐照区域在熔化、冷却后形成金属纳米颗粒分散于相变基质材料中的复合材料。该复合材料中金属纳米颗粒的尺寸和分布可以通过改变激光脉冲的参数来调节,相变基质材料的光学常数可以通过改变退火处理条件来调节,形成复合材料的区域可以通过移动激光作用区域来调节。
申请公布号 CN101797824B 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN200910247570.X 申请日期 2009.12.30
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 黄欢;王阳;翟凤潇;吴谊群
分类号 B32B9/04(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I 主分类号 B32B9/04(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 张泽纯
主权项 一种金属纳米颗粒复合材料,其特征在于:包括沉积在基片(1)上的金属层(2)、相变材料层(3)和保护层(4)多层结构薄膜,在所述的相变材料层中分散分布有金属纳米颗粒的复合材料(5);所述的基片(1)为厚度为0.1~3.0mm的Si片、或K9玻璃片、或聚碳酸酯片;所述的金属层(2)为厚度为5~500nm的Ag、或Au、或Pt、或Cu、或Al薄膜;所述的相变材料层(3)是厚度为5~500nm的GeSbTe、或AgInSbTe、或SbTe、或SiSb相变材料薄膜;所述的保护层(4)为厚度0~50nm的SiN或ZnS‑SiO2薄膜;所述的复合材料(5)为厚度为10~1000nm的Ag纳米颗粒‑GeSbTe复合材料、或Au纳米颗粒‑GeSbTe复合材料、或Pt纳米颗粒‑GeSbTe复合材料、或Cu纳米颗粒‑GeSbTe复合材料、或Al纳米颗粒‑GeSbTe复合材料、或Ag纳米颗粒‑AgInSbTe复合材料、或Au纳米颗粒‑AgInSbTe复合材料、或Pt纳米颗粒‑AgInSbTe复合材料、或Cu纳米颗粒‑AgInSbTe复合材料、或Al纳米颗粒‑AgInSbTe复合材料、或Ag纳米颗粒‑SbTe复合材料、或Au纳米颗粒‑SbTe复合材料、或Pt纳米颗粒‑SbTe复合材料、或Cu纳米颗粒‑SbTe复合材料、或Al纳米颗粒‑SbTe复合材料、或Ag纳米颗粒‑SiSb复合材料、或Au纳米颗粒‑SiSb复合材料、或Pt纳米颗粒‑SiSb复合材料、或Cu纳米颗粒‑SiSb复合材料、或Al纳米颗粒‑SiSb复合材料、或Ag纳米颗粒‑GeSb复合材料、或Au纳米颗粒‑GeSb复合材料、或Pt纳米颗粒‑GeSb复合材料、或Cu纳米颗粒‑GeSb复合材料、或Al纳米颗粒‑GeSb复合材料。
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