一种红外探测器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种红外探测器及其制造方法。现有技术中直接在敏感材料探测层上沉积金属层并通过光刻和刻蚀工艺形成金属电极，易损伤或污染该敏感材料探测层并影响探测器的性能，甚至造成金属电极间的短路。本发明的探测器敏感材料层上沉积有一具有凹槽的牺牲保护层，金属电极设置在该凹槽中；本发明的红外探测器制造方法在制成敏感材料探测层后再沉积一牺牲保护层；然后涂布光刻胶并光刻出该金属电极图形；接着刻蚀该牺牲保护层以在其上形成金属电极图形凹槽；之后去除光刻胶并沉积金属层；最后通过光刻和刻蚀形成金属电极。采用本发明可避免损伤或污染该敏感材料探测层，并能避免金属电极间的短路，可大大提高探测器的性能、成品率和可靠性。

主权项

一种红外探测器，包括硅衬底、依次层叠在该硅衬底上的探测器牺牲层、敏感材料探测层和金属电极，其特征在于，该敏感材料探测层上沉积有一牺牲保护层，该牺牲保护层上具有金属电极图形凹槽，所述金属电极图形凹槽暴露出所述敏感材料探测层，该金属电极设置在该金属电极图形凹槽中，其中，所述探测器牺牲层为多孔硅牺牲层，所述敏感材料探测层为非晶硅或氧化钒，所述牺牲保护层为基于Si、O、C、N成分的介质薄膜、非化学计量比的上述薄膜或者为掺有B、P、C或F元素的上述薄膜。