发明名称 |
高温石英膜氦质谱漏孔 |
摘要 |
本发明公开了一种高温石英膜氦质谱漏孔的生产方法,先把石英薄膜与硬质玻璃外壳封接成一整体并形成腔体,并在硬质玻璃外壳上保留工艺充气孔;然后在气压小于0.6个大气压的低压环境中,通过工艺充气孔向腔体内冲入高纯氦气;在所述的低压状况下,熔融硬质玻璃外壳上的工艺充气孔,使低压氦气保留在石英薄膜与硬质玻璃外壳之间的腔体内。本发明结构、制造工艺简单,采用低压高纯度氦气填充工艺,克服了传统石英膜氦气标准漏孔只能在室温下使用的缺陷,可以在高温工况下对氦质谱漏率进行标定,本发明专利特别适用于制造高温工况下使用的石英膜氦质谱漏孔。 |
申请公布号 |
CN102192822B |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN201110056691.3 |
申请日期 |
2011.03.10 |
申请人 |
安徽皖仪科技股份有限公司 |
发明人 |
张晨光;黄文平;张志 |
分类号 |
G01M3/02(2006.01)I;G01M3/20(2006.01)I |
主分类号 |
G01M3/02(2006.01)I |
代理机构 |
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 |
代理人 |
方峥 |
主权项 |
高温石英膜氦质谱漏孔的生产方法,其特征在于:先把石英薄膜与硬质玻璃外壳封接成一整体并形成腔体,并在硬质玻璃外壳上保留工艺充气孔;然后在气压小于0.6个大气压的低压环境中,通过工艺充气孔向腔体内充入高纯氦气;在所述的低压状况下,熔融硬质玻璃外壳上的工艺充气孔,使低压氦气保留在石英薄膜与硬质玻璃外壳之间的腔体内。 |
地址 |
230088 安徽省合肥市高新区天达路71号华亿科技园B幢皖仪大厦 |