| 发明名称 | 具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中，所述源区和漏区的掺杂类型相反；和形成在沟道区之上的栅堆叠，其中，栅堆叠包括栅介质层，栅堆叠至少还包括沿从源区到漏区方向分布的且形成在栅介质层之上的第一栅电极和第二栅电极，以及形成在栅介质层之上的及分别形成在第一栅电极和第二栅电极边侧的第一侧墙和第二侧墙，且所述第一栅电极和所述第二栅电极具有不同的功函数。由于本发明实施例在隧穿场效应晶体管中引入了横向异质栅极功函数结构，因此对沟道区的能带分布进行了调制，显著地减小了晶体管的亚阈值斜率，同时大大地提高了驱动电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102169901B | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201110049788.1 | 申请日期 | 2011.03.01 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 梁仁荣;崔宁;王敬;许军 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中，所述漏区为第一掺杂类型，所述源区为第二掺杂类型；和形成在所述沟道区之上的栅堆叠，其中，所述栅堆叠包括栅介质层，所述栅堆叠至少还包括沿从所述源区到所述漏区方向分布的且形成在所述栅介质层之上的第一栅电极和第二栅电极，以及形成在所述栅介质层之上的及分别形成在所述第一栅电极和第二栅电极边侧的第一侧墙和第二侧墙，且所述第一栅电极和所述第二栅电极具有不同的功函数。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||