发明名称 半导体存储器设备
摘要 根据一个实施例的一个方面,提供了一种半导体存储器设备,其确定通过读取连接有复制位线和复制字线的复制单元的操作而读取来自存储单元的数据所需的数据读取时间,所述复制位线具有和连接至所述存储单元的位线等效的负载,所述半导体存储器设备包含:写控制信号生成单元,该写控制信号生成单元包括用以接收响应用于驱动所述复制字线的驱动信号而生成的复制字线激活信号输入的多级耦合的逻辑门,所述写控制信号生成单元基于所述复制字线激活信号生成写控制信号以确定写入数据至所述存储单元所需的数据写入时间。
申请公布号 CN101266830B 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN200810084301.1 申请日期 2008.03.17
申请人 富士通半导体股份有限公司 发明人 菅本博之
分类号 G11C7/22(2006.01)I 主分类号 G11C7/22(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 宋鹤
主权项 一种半导体存储器设备,所述半导体存储器设备包含:存储单元,连接到位线;复制单元,连接到复制位线和复制字线,所述复制位线具有与所述位线等效的负载;以及写控制信号生成单元,该写控制信号生成单元包括用以接收复制字线激活信号输入的多级耦合的逻辑门,所述复制字线激活信号是响应于用于驱动所述复制字线的驱动信号而生成的,所述写控制信号生成单元基于所述复制字线激活信号而生成写控制信号,所述写控制信号用以确定写入数据至所述存储单元所需的数据写入时间,所述数据写入时间长于从所述存储单元读取数据所需的数据读取时间,其中从所述复制单元读取数据的操作确定所述从所述存储单元读取数据所需的数据读取时间。
地址 日本神奈川县