一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管

摘要

一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第二高压N型阱内设有N型阴区，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在所述的第二高压N型阱内部的上表面还设有连接于阴极金属的P型阴区，且P型阴区紧贴着N型阴区的右边界，在所述的第一低压P型阱内设有第二P型缓冲阱，所述的P型阳区位于第二P型缓冲阱内。该器件可以有效地降低静电保护过程中的触发电压，并极大地提升器件的二次击穿电流，因而具有更好的鲁棒性。

主权项

一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有埋氧化层（2），在埋氧化层（2）上设有P型外延层（3），在P型外延层（3）的上部设有第一低压P型阱（4）、第一低压N型阱（8）和第二高压N型阱（11）且所述第二高压N型阱（11）自P型外延层（3）的上表面延伸至P型外延层（3）的下表面，在第一低压P型阱（4）内设有P型阳区（6），在第二高压N型阱（11）内设有N型阴区（9），在P型外延层（3）的上表面上设有场氧化层（13）且所述场氧化层（13）位于第二高压N型阱（11）与P型阳区（6）之间，在第二高压N型阱（11）、场氧化层（13）及P型阳区（6）的上表面上设有钝化层（15），在N型阴区（9）上连接有阴极金属（12），在P型阳区（6）上连接有阳极金属（7），其特征在于，在所述的第二高压N型阱（11）内部的上表面还设有连接于阴极金属（12）的P型阴区（10），且P型阴区（10）紧贴着N型阴区（9）的右边界，在所述的第一低压P型阱（4）内设有第二P型缓冲阱（5），所述的P型阳区（6）位于第二P型缓冲阱（5）内，所述的第一低压P型阱（4）和第一低压N型阱（8）之间的相邻边界相接触，在所述的场氧化层（13）与钝化层（15）之间还设有多晶硅场板（14）且所述的多晶硅场板（14）横跨第一低压P型阱（4）和第一低压N型阱（8）。