| 发明名称 | 发光二极管、发光二极管灯和照明装置 | ||
| 摘要 | 本发明的特征在于，具备：发光部，所述发光部具有：将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层与组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P（0≤X2≤1，0＜Y1≤1）的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为（AlX3Ga1-X3）Y2In1-Y2P（0≤X3≤1，0＜Y2≤1）的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；形成于所述发光部上的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-x4）Y3In1-Y3P（0≤X4≤1，0＜Y3≤1）。 | ||
| 申请公布号 | CN102725871A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201180007108.8 | 申请日期 | 2011.01.18 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝 |
| 分类号 | H01L33/06(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于，具备：发光部，所述发光部具有：将组成式为（InX1Ga1‑X1）As的阱层与组成式为（AlX2Ga1‑X2）Y1In1‑Y1P的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为（AlX3Ga1‑X3）Y2In1‑Y2P的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，其中，0≤X1≤1，0≤X2≤1，0≤X3≤1，0＜Y1≤1，0＜Y2≤1；形成于所述发光部上的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1‑X4）Y3In1‑Y3P，其中，0≤X4≤1，0＜Y3≤1。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||