| 发明名称 | 一种晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种晶体管，包括：多晶硅薄膜作为有源层制造P沟道的TFTs，结晶多晶硅薄膜有低的镍浓度，其特征在于，成核点(NS)以及补充点(SS)通过组合溶剂法提供，成核点和补充点重复性有规则分布，实现相同形状和大小的晶畴。 | ||
| 申请公布号 | CN202487579U | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201120015629.5 | 申请日期 | 2011.01.19 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 何子键;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：多晶硅薄膜作为有源层制造P沟道的TFTs，其特征在于，成核点(NS)以及补充点(SS)通过组合溶剂法提供，成核点和补充点重复性有规则分布，实现相同形状和大小的晶畴。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 | ||