一种倒装型高压交/直流发光二极管及其制作方法

摘要

本发明提出一种倒装型高压交/直流发光二极管及其制作方法，该发光二极管从上至下包括打线电极，蓝宝石衬底，N-GaN层，发光层，P-GaN层，电流扩散层，绝缘层，金属反射层，绝缘平坦层，邦定金属介层，支撑基板，蓝宝石衬底两侧具有等离子干法腐蚀形成的粗糙面，蓝宝石衬底中具有激光挖孔形成的通孔，该通孔中填有金属，使N-GaN层上的电极和打线电极相连接；该发光二极管将晶圆倒装邦定在一散热佳的基板上，正负电极分别位于芯片上下侧，芯片上每一个发光单元因倒装形成一倒梯形结构，并由反射层包覆，形成向上开口具有反射杯效果的结构，同时可减少电极对出光方向的遮蔽，此一结构由于芯片上方只有负电极，可大大方便高压发光二极管的发光单元布局设计。

主权项

一种倒装型高压交/直流发光二极管，从上至下包括打线电极，蓝宝石衬底，N‑GaN层，发光层，P‑GaN层，电流扩散层，绝缘层，金属反射层，绝缘平坦层，邦定金属介层，支撑基板，其特征在于，蓝宝石衬底两侧具有等离子干法腐蚀形成的粗糙面，蓝宝石衬底中具有激光挖孔形成的通孔，该通孔中填有金属，使N‑GaN层上的电极和打线电极相连接。