发明名称 具有频带扩展功能的高速相位分裂电路
摘要 具有频带扩展功能的高速相位分裂电路,属于通信电路领域,本发明为解决解决现有相位分裂电路中的跨阻放大器带宽对前置放大器工作频率的限制。本发明所述具有频带扩展功能的高速相位分裂电路,它包括第一PMOS晶体管M1、电阻R1、电阻R2、相位分裂放大器和积分器,相位分裂放大器由第一放大器A1和第二放大器A2级联组成,积分器由第三放大器A3、电阻R3、电阻R4和电容C1组成,第一PMOS晶体管M1的源极通过电阻R1连接电源,其漏极通过电阻R2接地,其源极还连接A1的正相输入端;A2的两个输出端分别连接积分器的两个输入端,积分器的输出端连接A1的反相输入端。
申请公布号 CN102723916A 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN201210213505.7 申请日期 2012.06.26
申请人 福建一丁芯光通信科技有限公司 发明人 李景虎;张远燚;李博阳
分类号 H03F1/42(2006.01)I 主分类号 H03F1/42(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 张果瑞
主权项 具有频带扩展功能的高速相位分裂电路,其特征在于,它包括第一PMOS晶体管(M1)、电阻R1、电阻R2、相位分裂放大器和积分器,相位分裂放大器由第一放大器(A1)和第二放大器(A2)级联组成,积分器由第三放大器(A3)、电阻R3、电阻R4和电容C1组成,电阻R1的一端接电源VDD!,电阻R1的另一端同时连接第一PMOS晶体管(M1)的源极和第一放大器(A1)的同相输入端VIP,第一PMOS晶体管(M1)的栅极作为跨阻放大器输出信号VO_TIA接收端,第一PMOS晶体管(M1)的漏极连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接GND!;第一放大器(A1)的反相输入端VIN连接第三放大器(A3)的输出端VCM,第二放大器(A2)的反相输出端VON连接电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接第三放大器(A3)的同相输入端,第二放大器(A2)的同相输出端VOP连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接第三放大器(A3)的反相输入端,电容C1连接在第三放大器(A3)的反相输入端和输出端之间。
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