发明名称 |
一种基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法,其过程为:制备SOI衬底;生长N型Si外延,制备深槽隔离,形成集电极接触区,形成氮化物侧墙,刻蚀出基区窗口,生长SiGe基区,光刻集电极窗口,淀积N型Poly-Si,制备发射极和集电极形成HBT器件;NMOS器件区刻蚀深槽,选择性生长晶面为(100)的应变Si外延层,制备应变Si沟道NMOS器件;在PMOS器件有源区,选择性生长晶面为(110)的应变SiGe外延层,制备压应变SiGe沟道PMOS器件;构成基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件及电路;本发明充分利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料电子迁移率高于体Si材料以及迁移率各向异性的特点,基于SOI衬底,制备出了性能增强的平面BiCMOS集成电路。 |
申请公布号 |
CN102723343A |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN201210244638.0 |
申请日期 |
2012.07.16 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
胡辉勇;张鹤鸣;李妤晨;宋建军;宣荣喜;舒斌;戴显英;郝跃 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于晶面选择的三多晶平面BiCMOS集成器件,其特征在于,NMOS器件为应变Si平面沟道器件,PMOS器件为应变SiGe平面沟道器件,双极晶体管为SOI SiGe HBT。 |
地址 |
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |