| 发明名称 |
半导体外延结构的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种半导体外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一支持半导体外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；以及在基底的外延生长面生长一掺杂的半导体外延层。 |
| 申请公布号 |
CN102723408A |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
| 申请号 |
CN201110077488.4 |
申请日期 |
2011.03.29 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种半导体外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在所述基底的外延生长面生长一GaN低温缓冲层；在所述GaN低温缓冲层表面生长一N型GaN层；在所述N型GaN层表面生长一InGaN/GaN多量子阱层；在所述InGaN/GaN多量子阱层表面生长一P型GaN层；以及进行退火处理。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华富士康纳米科技研究中心401室 |
