| 发明名称 | 一种多晶硅薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本申请提供一种多晶硅薄膜晶体管，包括有源层，其中所述有源层由具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜制成。本申请中，通过事先在硅氧化物层上定义完全等宽的凹槽获得具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜，从而可以使整个多晶硅薄膜成为高性能的薄膜晶体管有源层，因此解决了玻璃衬底收缩引起掩膜错位的问题，进而提高了晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN202487580U | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201120015633.1 | 申请日期 | 2011.01.19 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 一种多晶硅薄膜晶体管，包括有源层，其特征在于，所述有源层由具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜制成。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 | ||