发明名称 利用数据值的模拟通信的固态存储器
摘要 本发明提供适于处理及产生表示两个或两个以上信息位的数据值的模拟数据信号的存储器装置(101/301),其相对于仅处理及产生指示个别位的二进制数据信号的装置而言促进了数据传送速率的增加。对所述存储器装置(101/301)的编程包括编程到表示所要位模式的目标阈值电压范围。读取所述存储器装置(101/301)包括产生指示目标存储器单元的阈值电压的模拟数据信号。可接着处理此模拟信号以将其转换为由所述模拟信号表示的位模式的个别位的数字表示。所述存储器装置(101/301)可并入到大容量存储装置(300)中,且可利用硬盘驱动器(HDD)及其它传统大容量存储装置的形状因数及通信协议,以用于在电子系统中无障碍地替换所述传统大容量存储装置。
申请公布号 CN101681321B 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN200880019103.5 申请日期 2008.06.05
申请人 美光科技公司 发明人 弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔
分类号 G06F13/00(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G06F13/00(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 沈锦华
主权项 一种固态存储器装置(101/301),其包含:非易失性存储器单元阵列(104);以及用于控制及/或存取所述非易失性存储器单元阵列(104)的电路;其中所述用于控制及/或存取所述非易失性存储器单元阵列的电路适于在对所述存储器装置的写入操作期间处理指示目标存储器单元的所要阈值电压的输入模拟数据信号,存储指示所述写入操作的所述目标存储器单元的所述所要阈值电压的所述输入模拟数据信号的电压电平,将所述写入操作的所述目标存储器单元的所述阈值电压与所述所存储的电压电平进行比较,及在所述写入操作期间在发现所述写入操作的所述目标存储器单元的所述阈值电压小于所述所存储的电压电平的情况下增加所述写入操作的所述目标存储器单元的所述阈值电压;且其中所述用于控制及/或存取所述非易失性存储器单元阵列(104)的电路进一步适于在所述存储器装置(101/301)的读取操作期间产生指示所述阵列(104)的目标存储器单元的阈值电压的输出模拟数据信号。
地址 美国爱达荷州