| 发明名称 | 用于处理基材的装置与方法 | ||
| 摘要 | 一种用于处理基材(1)的方法，基材放置于真空环境中时呈除气状态。此方法包括：置放此基材于真空中：通过加热此基材(1)至温度T1，并移除由此基材(1)所发出的气体污染物来进行除气处理，直到除气率被基材之污染物的扩散所决定，因而建立一实质稳态。然后，当基材之污染物的扩散率低于在温度T1的扩散率时，将温度降低至温度T2。在温度T2，基材(1)被进一步进行处理，直到基材(1)被含金属的薄膜(16)所覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN102725843A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201080052142.2 | 申请日期 | 2010.11.17 |
| 申请人 | OC欧瑞康巴尔斯公司 | 发明人 | 沃尔夫冈·里茨勒;巴特·裘特凡梅斯特 |
| 分类号 | H01L23/14(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星 |
| 主权项 | 一种用于处理基材（1）的方法，其包含：提供基材（1），其在放置于真空时呈除气状态；置放所述基材（1）于真空中；通过将所述基材（1）加热至温度T1并移除由所述基材（1）所发出的气体污染物来执行除气处理，直到除气率被所述基材之污染物的扩散所决定，因而建立实质稳态；然后当所述基材之污染物的扩散率低于在所述温度T1时所呈现的扩散率时，将所述基材的温度降低至温度T2；以及在所述温度T2对所述基材（1）进行进一步处理，直到所述基材（1）被含有金属（16）的薄膜所覆盖。 | ||
| 地址 | 列支敦士登巴尔策斯 | ||