带有隔离层的CMOS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供一种带有隔离层的CMOS图像传感器及其制作方法，一方面，位于自所述半导体衬底上表面的预设深度以下的半导体衬底中增加隔离层，且隔离层与其对应的所述像素单元相隔离，隔离层的掺杂浓度高于半导体衬底的掺杂浓度，既能有效复合高能粒子及辐射产生的多余载流子，使图像传感器的抗高能粒子及抗辐射的能力有所提高，同时，又能有效复合像素单元中预滤除光的光生载流子，进一步保证像素单元的感光器件对光进行选择性的吸收；另一方面，通过控制感光器件的耗尽层深度，使感光器件对光进行选择性的吸收，从而有效的减少滤光片所带来的串扰效应。

主权项

一种带有隔离层的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：1）提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中定义出预制作的像素单元的区域；2）自所述半导体衬底上表面的预设深度以下的半导体衬底中，掺杂形成与所述预制作的像素单元相对应的隔离层，且所述隔离层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度；3）在所述预制作的像素单元的区域中形成至少包括感光器件和用以将所述感光器件产生的电信号读出的像素读出电路的像素单元，并使所述像素单元与其对应的隔离层相隔离，以提高所述图像传感器的抗高能粒子及抗辐射的能力。