| 发明名称 | 用于处理暂时接合的产品晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的方法，具有如下步骤：－将产品晶片在背向载体晶片的平坦侧上研磨和/或背面磨薄到＜150μm、尤其是＜100μm、优选＜75μm、更优选＜50μm、特别优选＜30μm的产品晶片厚度D，－在所述研磨和/或背面磨薄之后，利用用于减小产品晶片的固有应力、尤其是结构上的固有应力的装置来对所述平坦侧进行表面处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102725838A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201080063106.6 | 申请日期 | 2010.11.23 |
| 申请人 | EV集团E·索尔纳有限责任公司 | 发明人 | J.布格拉夫;H.韦斯鲍尔;M.温普林格 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;刘春元 |
| 主权项 | 一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的方法，具有如下步骤：－将产品晶片在背向载体晶片的平坦侧上研磨和/或背面磨薄到＜150μm、尤其是＜100μm、优选＜75μm、更优选＜50μm、特别优选＜30μm的产品晶片厚度D，－在所述研磨和/或背面磨薄之后，利用用于减小产品晶片的固有应力、尤其是结构上的固有应力的装置来对所述平坦侧进行表面处理。 | ||
| 地址 | 奥地利圣弗洛里安 | ||