发明名称 能消除干扰的相变存储器单元及形成的相变存储器
摘要 本发明提供一种能消除干扰的相变存储器单元,其包括:相变材料形成的相变电阻;并联在所述相变电阻两端的受控开关管;与所述相变电阻一端连接的选通管,其中,所述选通管和所述受控开关管在任意时刻工作在相反的状态,即一者处于导通状态时,另一者就处于截止状态,通过受控开关管的导通,可强制相变电阻两端的电压相等,从而有效避免干扰。此外,本发明还提供一种由能消除干扰的相变存储器单元所构成的相变存储器,该相变存储器在位线信号升高时,通过使受控开关管导通,可使相变电阻两端的电压相等,从而达到消除干扰的目的。
申请公布号 CN101958148B 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN201010289950.2 申请日期 2010.09.21
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 蔡道林;宋志棠;陈后鹏
分类号 G11C11/56(2006.01)I 主分类号 G11C11/56(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种能消除干扰的相变存储器单元,其特征在于包括:相变材料形成的相变电阻;并联在所述相变电阻两端的受控开关管;与所述相变电阻一端连接的选通管;其中,所述相变电阻的另一端连接位线,所述选通管由字线信号控制开闭,所述受控开关管由控制信号控制开闭,所述选通管和所述受控开关管在任意时刻工作在相反的状态,即一者处于导通状态时,另一者就处于截止状态。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号