发明名称 固态图像拾取装置及其制造方法以及图像拾取装置
摘要 本发明中公开了固态图像拾取装置、固态图像拾取装置的制造方法以及图像拾取装置,其中,该固态图像拾取装置包括:多个光接收单元、转移沟道、第一转移电极、第二转移电极、第一配线、以及第二配线。通过本发明,可以减少水平方向上从倾斜角度入射至光接收单元上的光的遮挡,从而能够改善光接收单元的灵敏度。
申请公布号 CN101399282B 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN200810211485.3 申请日期 2008.09.26
申请人 索尼株式会社 发明人 武田健
分类号 H01L27/148(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L27/148(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;吴孟秋
主权项 一种固态图像拾取装置,包括:多个光接收单元,在水平方向和垂直方向上以矩阵形式进行配置;多列中的转移沟道,用于在垂直方向上转移累积在所述光接收单元中的信号电荷;第一转移电极,用于读取累积在所述光接收单元中的信号电荷并在垂直方向上转移所述信号电荷,所述第一转移电极设置在与所述光接收单元的垂直方向上的中心部相邻的所述转移沟道上;第二转移电极,用于在垂直方向上转移通过所述第一转移电极转移的信号电荷,所述第二转移电极在与所述第一转移电极相同的层中设置在所述转移沟道上;第一配线,用于在水平方向上将所述矩阵的相同行中的所述第一转移电极彼此连接;以及第二配线,用于在水平方向上将所述矩阵的相同行中的所述第二转移电极彼此连接;其中,当所述第一配线和所述第二配线由多晶硅形成时,所述第一转移电极和所述第二转移电极的膜厚小于所述第一配线和所述第二配线的膜厚,所述第二配线设置在所述第二转移电极上,所述第一配线包括设置在所述第二配线上方的层中并在水平方向上延伸的水平部以及以垂直方向上分支的形式从所述水平部延伸并在所述第一转移电极上延伸的分支部,以及所述分支部从所述水平部开始朝向所述第一转移电极弯曲并在所述第一转移电极上延伸,使得在所述第一转移电极上延伸的所述分支部上形成透明层间绝缘膜的空间。
地址 日本东京