氮化铝陶瓷基板30瓦26dB衰减片

摘要

本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦26dB衰减片，其包括一尺寸为5*5*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述膜状电阻连接形成T型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片方案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，设计上体积小，线路优化，性能稳定，生产成本低，可以直接取代同类Beo材料衰减片。且填补了原来衰减片只能应用于低频的局面，满足了目前3G网络的应用要求，同时延伸了30瓦固定膜状电阻式衰减片的系列产品线。

主权项

一种氮化铝陶瓷基板30瓦26dB衰减片，其特征在于：其包括一尺寸为5*5*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述膜状电阻连接形成T型衰减电路。