| 发明名称 |
半导体外延结构 |
| 摘要 |
本发明涉及一种半导体外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面；以及一掺杂的半导体外延层形成于所述基底的外延生长面，其中，进一步包括一碳纳米管层设置于所述掺杂的半导体外延层与基底之间。 |
| 申请公布号 |
CN102723406A |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
| 申请号 |
CN201110076893.4 |
申请日期 |
2011.03.29 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种半导体外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面；一碳纳米管层设置在所述基底的外延生长面；一N型GaN外延层覆盖所述碳纳米管层设置；一有源层设置在所述N型GaN外延层的表面；以及一P型GaN外延层设置在所述有源层的表面，所述有源层设置于所述N型GaN外延层和所述P型GaN外延层之间。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
