| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，涉及显示器制造领域，通过两次曝光分别形成源极和漏极，可以实现沟道长度减小，达到提高薄膜晶体管充电能力的目的。一种薄膜晶体管，包括：基板、所述基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间形成有第一沟道，所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。本发明实施例应用于薄膜晶体管及阵列基板制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102723365A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201210189693.4 | 申请日期 | 2012.06.08 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 金在光;李小和;其他发明人请求不公开姓名 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：基板、所述基板上的栅极、覆盖所述栅极的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的有源层，在所述有源层上方形成有源极和漏极，覆盖所述源极和漏极的保护层，其中在所述源极和漏极之间形成有第一沟道，其特征在于，所述漏极和所述源极为通过两次构图工艺制作形成。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||