| 发明名称 | 提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构及使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构，包括：若干并联电容，每一个电容的上极板均通过第一接线连接第一金属垫，每一个电容的下极板均通过第二接线连接第二金属垫，其特征在于，还包括：第三金属垫，通过第三接线连接所述第二接线；第四金属垫，通过第四接线连接所述第一接线。本发明的优点是：采用新的测试结构后，对测试结果没有影响，同时在失效分析时也能保证绝大部分样品能找到失效位置。 | ||
| 申请公布号 | CN102721905A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201210168046.5 | 申请日期 | 2012.05.28 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 尹彬锋;赵敏;李瀚超 |
| 分类号 | G01R31/12(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构，包括：若干并联电容，每一个电容的上极板均通过第一接线连接第一金属垫，每一个电容的下极板均通过第二接线连接第二金属垫，其特征在于，还包括：第三金属垫，通过第三接线连接所述第二接线；第四金属垫，通过第四接线连接所述第一接线。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||