发明名称 | 在半导体结构中形成的分子检测装置 | ||
摘要 | 提出用于检测一个或多个分子的半导体装置、层析装置和集成电路以及用于形成用于检测一个或多个分子的半导体装置的方法。举例而言,用于检测一个或多个分子的半导体装置包括形成在半导体结构内的通道和形成在所述半导体结构内的至少一个检测器。所述至少一个检测器检测所述通道中的所述一个或多个分子。所述半导体装置可选地包含形成在所述半导体结构内的一个或多个额外通道。举例而言,所述半导体装置操作为检测单个分子。 | ||
申请公布号 | CN102725613A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
申请号 | CN201080062430.6 | 申请日期 | 2010.11.18 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·波隆斯基;F·休茨 |
分类号 | G01F1/00(2006.01)I | 主分类号 | G01F1/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
主权项 | 一种用于检测一个或多个分子的半导体装置,所述半导体装置包含:通道,其形成在半导体结构内;以及至少一个检测器,形成在所述半导体结构内;其中所述至少一个检测器检测所述通道中的所述一个或多个分子。 | ||
地址 | 美国纽约 |