SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及电路制备方法，在SOI衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，在双极器件区域制造常规的Si双极晶体管；在600～780℃，在衬底NMOS器件和PMOS器件有源区上分别连续生长N型Si外延层、N型应变SiGe层等，在NMOS器件有源区分别制备漏极、栅极和源区，完成NMOS器件制备；在PMOS器件有源区淀积SiO2和Poly-Si，制备虚栅极，淀积介质层形成栅侧墙，注入形成PMOS器件源、漏；刻蚀虚栅，淀积SiON和W-TiN分别做为栅介质和复合金属栅，完成PMOS器件制备，形成BiCMOS电路。本发明充分利用了应变SiGe材料在垂直方向电子迁移率和水平方向空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在低温工艺下，制造出性能增强的SOI BJT、应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变SiGe垂直沟道，PMOS器件为应变SiGe平面沟道，双极器件采用SOI普通Si双极晶体管。