| 发明名称 | 有着<100>晶面沟道方向的非易失性电荷俘获存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一个非易失性电荷俘获器件和制造该器件的方法。该器件包括沟道长度为<100>晶面方向的沟道区域。沟道区域在一对源漏区之间，栅堆跺设置在沟道区域上方。 | ||
| 申请公布号 | CN101523582B | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN200780037846.0 | 申请日期 | 2007.09.28 |
| 申请人 | 赛普拉斯半导体公司 | 发明人 | 依格·普利斯查克;赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 张敬强 |
| 主权项 | 一种非易失性电荷俘获存储器件，其特征在于，包含：形成在有源区里的源区和漏区；在源区和漏区之间的沟道区域，其沟道长度为<100>晶面方向；隔离结构，其邻近所述沟道区域的侧壁，其中所述沟道区域的上表面在所述隔离结构上表面上方；并且栅堆跺设置在沟道区域上方。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||