发明名称 包含用于高密度互连的硅贴片的微电子封装及其制造方法
摘要 一种微电子封装,包括:衬底(110);嵌入在所述衬底中的硅贴片(120);位于所述硅贴片的第一位置处的第一互连结构(131)和位于所述硅贴片的第二位置处的第二互连结构(132);以及所述硅贴片中将所述第一互连结构和所述第二互连结构彼此连接的导电线(150)。
申请公布号 CN101960589B 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN200980107171.1 申请日期 2009.03.29
申请人 英特尔公司 发明人 R·马哈詹;S·萨内
分类号 H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈松涛;王英
主权项 一种微电子封装,包括:衬底;嵌入所述衬底中的硅贴片;位于所述硅贴片的第一位置处的第一互连结构和位于所述硅贴片的第二位置处的第二互连结构;以及所述硅贴片中将所述第一互连结构和所述第二互连结构彼此连接的导电线。
地址 美国加利福尼亚