Ⅲ族氮化物类发光装置

摘要

本发明公开了一种III族氮化物类发光二极管。所述III族氮化物类发光二极管包括：基底；n型氮化物类覆层，形成在基底上；氮化物类有源层，形成在n型氮化物类覆层上；p型氮化物类覆层，形成在氮化物类有源层上；p型多层欧姆接触层，形成在p型氮化物类覆层上，并包含热分解氮化物。通过将氮(N)与从由镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、铟(In)和锡(Sn)组成的组中选出的至少一种金属组分结合来获得所述热分解氮化物。在III族氮化物类发光装置的p型氮化物覆层的界面提高欧姆接触特性，从而改善电流-电压特性。此外，由于改善了透明电极的透光率，所以也改善了III族氮化物类发光装置的发光效率和亮度。

主权项

一种III族氮化物类发光二极管，该发光二极管包括：基底；n型氮化物类覆层，形成在基底上；氮化物类有源层，形成在n型氮化物类覆层上；p型氮化物类覆层，形成在氮化物类有源层上；p型多层欧姆接触层，形成在p型氮化物类覆层上，并包含热分解氮化物，其中，通过将氮(N)与从由镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、铟(In)和锡(Sn)组成的组中选出的至少一种金属组分结合来获得热分解氮化物。