发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的是提供激光照射设备和方法,其能够减小微晶区在整个被照射区中的比例并能够用激光束均匀地照射半导体膜。通过狭缝阻挡从激光振荡器发射的激光束的低强度部分,该激光束被镜片偏转,用两个凸柱镜将激光束整形成所需的尺寸。然后,向照射表面提供激光束。 |
申请公布号 |
CN101667538B |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN200910159435.X |
申请日期 |
2005.08.12 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
田中幸一郎;矶部敦生;山本良明 |
分类号 |
H01L21/268(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B23K26/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/268(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
林毅斌;李家麟 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,包括:在基板上形成半导体膜;借助通过狭缝从发射自激光振荡器的第一激光束产生第二激光束;使用聚光透镜从所述第二激光束产生第三激光束;通过用所述第三激光束照射所述半导体膜而使所述半导体膜结晶以形成所述半导体膜中的第一区和第二区;在所述第一区上形成薄膜晶体管;以及在所述第二区上形成线路,其中所述第三激光束相对于所述半导体膜移动,其中所述聚光透镜包括第一凸柱镜和第二凸柱镜,其中所述第一凸柱镜和所述第二凸柱镜布置成使得它们的母线彼此交叉,以及其中,所述第一区中包括的晶粒大于所述第二区中包括的晶粒。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |