发明名称 共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构
摘要 本发明涉及发光二极管组件,具体是一种共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构。本发明解决了现有白光发光二极管设计困难、成本增加、混光不易、发光亮度不足、出射光质量较差的问题。共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构包括具有散热特性的次级基板、蓝宝石基板、N型氮化镓外延层、多层量子阱氮化铟镓主动层、P型氮化镓外延层、氧化铟铽荧光钝化层、负电极金属层、以及正电极金属层;其中,蓝宝石基板堆栈于具有散热特性的次级基板上。本发明基于全新的结构,有效解决了现有白光发光二极管设计困难、成本增加、混光不易、发光亮度不足、出射光质量较差的问题,适用于发光二极管的制造。
申请公布号 CN102723418A 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN201210014708.3 申请日期 2012.01.18
申请人 许并社;李学敏;刘旭光 发明人 许并社;李学敏;刘旭光
分类号 H01L33/44(2010.01)I 主分类号 H01L33/44(2010.01)I
代理机构 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人 朱源
主权项 一种共形涂布具有荧光特性钝化层的白光LED芯片结构,其特征在于:包括具有散热特性的次级基板(1)、蓝宝石基板(2)、N型氮化镓外延层(3)、多层量子阱氮化铟镓主动层(4)、P型氮化镓外延层(5)、氧化铟铽荧光钝化层(6)、负电极金属层(7)、以及正电极金属层(8);其中,蓝宝石基板(2)堆栈于具有散热特性的次级基板(1)上;N型氮化镓外延层(3)堆栈于蓝宝石基板(2)上;多层量子阱氮化铟镓主动层(4)堆栈于N型氮化镓外延层(3)上,且N型氮化镓外延层(3)部分曝露于多层量子阱氮化铟镓主动层(4)外;P型氮化镓外延层(5)堆栈于多层量子阱氮化铟镓主动层(4)上;氧化铟铽荧光钝化层(6)堆栈于N型氮化镓外延层(3)的曝露部分和P型氮化镓外延层(5)上,且氧化铟铽荧光钝化层(6)沉积于蓝宝石基板(2)的侧壁、N型氮化镓外延层(3)的侧壁、多层量子阱氮化铟镓主动层(4)的侧壁、P型氮化镓外延层(5)的侧壁;负电极金属层(7)堆栈于N型氮化镓外延层(3)的曝露部分上;正电极金属层(8)堆栈于P型氮化镓外延层(5)上,且正电极金属层(8)与氧化铟铽荧光钝化层(6)连接。
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