选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳电池制造方法，特别涉及一种选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法。其技术方案是：包括高浓度掺杂扩散、低浓度掺杂扩散，其特征在于：用含磷掺杂剂浆料在晶体硅片正面丝网印刷，印刷区域略大于电极区域，烘干，然后在POCl3气氛中进行掺杂扩散，在含磷掺杂剂浆料印刷区域得到高浓度扩散，其余区域得到低浓度扩散，高浓度、低浓度掺杂扩散一次完成。有益效果是：制造选择性发射极晶体硅太阳电池，只需要在常规晶体硅太阳电池制造工艺中增加一道印刷含磷掺杂剂浆料工序，不需要热氧化生长二氧化硅层等繁复过程，工艺简化、设备投资低、生产成本低，适合大规模生产。

主权项

一种选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法，包括高浓度掺杂扩散、低浓度掺杂扩散，其特征在于：用含磷掺杂剂浆料在晶体硅片正面丝网印刷，印刷区域略大于电极区域，烘干，然后在POCl3气氛中进行掺杂扩散，在含磷掺杂剂浆料印刷区域得到高浓度扩散，其余区域得到低浓度扩散，高浓度、低浓度掺杂扩散一次完成。