芯片正装双面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构

摘要

本发明涉及一种芯片正装双面三维线路先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜材；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；电镀金属线路层；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；涂覆粘结物质；装片；金属线键合；包封；金属基板背面去除部分绿漆；化学蚀刻；电镀金属线路层；电镀金属线路层；绿漆披覆；绿漆表面开孔；清洗；植球；切割成品。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

主权项

一种芯片正装双面三维线路先封后蚀制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤： 步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，步骤三、绿漆披覆在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行绿漆的被覆，步骤四、金属基板正面去除部分绿漆利用曝光显影设备在步骤三完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤五、电镀惰性金属线路层将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层， 步骤七、绿漆披覆在步骤六完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆， 步骤八、金属基板正面去除部分绿漆利用曝光显影设备在步骤七完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤九、电镀金属线路层将步骤八金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层，步骤十、绿漆披覆在步骤九完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆， 步骤十一、金属基板正面去除部分绿漆利用曝光显影设备在步骤十完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，步骤十二、覆上线路网板在金属基板正面覆上线路网板，步骤十三、金属化前处理对步骤十一金属基板正面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理，步骤十四、移除线路网板将步骤十二中金属基板正面覆上的线路网板移除，步骤十五、电镀金属线路层将步骤十三金属基板正面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚或基岛和引脚或基岛、引脚或静电释放圈的上部， 步骤十六、涂覆粘结物质当步骤十五仅相对形成的引脚上部时，在引脚上部正面涂覆导电或是不导电的粘结物质；当步骤十五相对形成的基岛和引脚上部或基岛、引脚和静电释放圈上部时，在基岛上部正面涂覆导电或是不导电的粘结物质， 步骤十七、装片在步骤十六引脚或基岛上部正面涂覆的导电或不导电粘结物质上进行芯片的植入，步骤十八、金属线键合在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业，步骤十九、包封将步骤十八完成装片打线后的金属基板正面进行包封塑封料作业，   步骤二十、金属基板背面去除部分绿漆利用曝光显影设备对金属基板背面披覆的绿漆进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域，步骤二十一、化学蚀刻将步骤二十中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻， 步骤二十二、电镀金属线路层在步骤二十一完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀， 步骤二十三、绿漆披覆在步骤二十二完成电镀金属线路层的金属基板背面进行绿漆的被覆，步骤二十四、金属基板背面去除部分绿漆利用曝光显影设备在步骤二十三完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域，步骤二十五、电镀金属线路层将步骤二十四金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层， 步骤二十六、绿漆披覆在步骤二十五完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆， 步骤二十七、金属基板背面去除部分绿漆利用曝光显影设备在步骤二十六完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域，步骤二十八、覆上线路网板在金属基板背面覆上线路网板，线路网板覆盖后续不需要进行金属化的区域，步骤二十九、金属化前处理对步骤二十七金属基板背面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理， 步骤三十、移除线路网板将步骤二十八中金属基板背面覆上的线路网板移除，步骤三十一、电镀金属线路层将步骤二十九金属基板背面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板背面相对形成引脚或基岛和引脚或基岛、引脚和静电释放圈的下部，步骤三十二、绿漆披覆在步骤三十一完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆，步骤三十三、绿漆表面开孔在步骤三十二金属基板背面披覆的绿漆表面进行后续要植金属球区域的开孔作业，所述开孔方式可以采用干式激光烧结或是湿式化学腐蚀的方法，步骤三十四、清洗对步骤三十三金属基板背面绿漆开孔处进行清洗，步骤三十五、植球在步骤三十四经过清洗的小孔内植入金属球， 步骤三十六、切割成品将步骤三十五完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得芯片正装双面三维线路先封后蚀封装结构成品。