| 发明名称 | 碳化硅半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种碳化硅半导体器件(1)，所述碳化硅半导体器件(1)包括半导体层(12)，其由碳化硅制成并具有带沟槽(20)的表面(12a)，所述沟槽(20)具有由以相对于{0001}面不小于50°且不大于65°的范围内的角度倾斜的晶面形成的侧壁(19)；以及绝缘膜(13)，其形成为接触所述沟槽(20)的所述侧壁(19)。在从所述沟槽(20)的所述侧壁(19)与所述绝缘膜(13)之间的界面起10nm的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm-3，并且所述半导体器件具有在所述沟槽(20)的所述侧壁(19)内的、相对于与<-2110>方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。还提供了一种碳化硅半导体器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102725849A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201080003308.1 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 穗永美纱子;原田真 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体器件(1)，包括：半导体层(12)，所述半导体层(12)由碳化硅制成并具有带沟槽(20)的表面(12a)，该沟槽(20)具有由相对于{0001}面以不小于50°且不大于65°的范围内的角度倾斜的晶面形成的侧壁(19)；以及绝缘膜(13)，所述绝缘膜(13)被形成为接触所述沟槽(20)的所述侧壁(19)，在从所述沟槽(20)的所述侧壁(19)与所述绝缘膜(13)之间的界面起10nm内的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm‑3，并且所述碳化硅半导体器件具有在所述沟槽(20)的所述侧壁(19)内的、相对于与<‑2110>方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||