发明名称 |
半导体晶片的再生方法和研磨用组合物 |
摘要 |
提供一种研磨用组合物,其用于研磨半导体晶片表面以将具有台阶的半导体的表面平坦化并且由此再生所述半导体晶片。所述研磨用组合物至少包括台阶消除剂,所述台阶消除剂吸附至半导体晶片表面并且起到防止在研磨期间蚀刻在所述表面上的台阶底部的作用。所述台阶消除剂为,例如,水溶性高分子或表面活性剂,更具体地,聚乙烯醇类、聚乙烯吡咯烷酮类、聚乙二醇类、纤维素类、羧酸型表面活性剂、磺酸型表面活性剂、磷酸酯型表面活性剂或氧化烯类聚合物。 |
申请公布号 |
CN102725374A |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN201180007110.5 |
申请日期 |
2011.01.21 |
申请人 |
福吉米株式会社 |
发明人 |
森永均;浅井舞子 |
分类号 |
C09K3/14(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
C09K3/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种半导体晶片的再生方法,所述方法通过使在表面上具有台阶的半导体晶片表面平坦化而使所述半导体晶片再生,所述方法的特征在于,所述平坦化通过用至少包含台阶消除剂的研磨用组合物研磨所述半导体晶片表面来进行,所述台阶消除剂吸附至所述半导体晶片表面并且起到防止在研磨期间蚀刻在所述晶片表面上的所述台阶的底部的作用。 |
地址 |
日本爱知县 |