| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，具备：第一导电型的半导体衬底；形成在半导体衬底上的第一导电型的第一半导体区；以及在第一半导体区内，相对于半导体衬底在衬底面方向上分别离开地形成的第二导电型的第二半导体区。关于第二半导体区的活性化的杂质浓度的相对于半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量、与关于第一半导体区的活性化的杂质浓度的相对于半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量之差，总是为正数，且从第二半导体区的两端的接合面中的半导体衬底侧的第一接合面的深度朝向第二半导体区的两端的接合面中的与第一接合面相反一侧的第二接合面的深度增加。 | ||
| 申请公布号 | CN101794816B | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201010004023.1 | 申请日期 | 2010.01.14 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小野昇太郎;斋藤涉;羽田野菜名;大田浩史;渡边美穗 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；形成在上述半导体衬底上的第一导电型的第一半导体区；以及在上述第一半导体区内，相对于上述半导体衬底在衬底面方向上分别离开地形成的多个第二导电型的第二半导体区，关于上述第二半导体区的活性化的杂质浓度的相对于上述半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量、与关于上述第一半导体区的活性化的杂质浓度的相对于上述半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量之差，总是为正数，且从上述第二半导体区的两端的接合面中的上述半导体衬底侧的第一接合面的深度朝向上述第二半导体区的两端的接合面中的与上述第一接合面相反一侧的第二接合面的深度增加。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||