发明名称 |
太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种太阳能电池,在背面接合型太阳能电池中,能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A),包括:具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n);具有第一导电型的第一半导体层(20n);和具有第二导电型的第二半导体层(30p),第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成,在背面(12)形成有槽(13),在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n),在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。 |
申请公布号 |
CN102725858A |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN201180007219.9 |
申请日期 |
2011.01.26 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
井手大辅;三岛孝博;重松正人;马场俊明;森博幸;森上光章;菱田有二;坂田仁;后藤良 |
分类号 |
H01L31/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种太阳能电池,包括:具有受光面和背面的半导体基板;具有第一导电型的第一半导体层;和具有第二导电型的第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层在所述背面上形成,所述太阳能电池的特征在于:在所述背面形成有槽,在没有形成所述槽的所述背面形成有所述第一半导体层,在所述第一半导体层和所述第二半导体层交替排列的排列方向上的所述槽的侧面和所述槽的底面形成有所述第二半导体层。 |
地址 |
日本大阪府 |