具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽双扩散金属氧化物半导体器件的制备

摘要

本发明涉及提出了一种半导体器件的制备方法。器件的制备方法包括：在半导体层中制备；用绝缘材料填充沟槽；除去所选的部分绝缘材料，留下在沟槽底部的一部分绝缘材料；在剩余部分沟槽的一个或多个侧壁上，制备一个或多个隔片；使用一个或多个隔片作为掩膜，各向异性地刻蚀沟槽底部的绝缘材料，以便在绝缘物中形成沟槽；除去隔片；并用导电材料填充绝缘物中的沟槽。还可选择，在沟槽的侧壁和底部，形成一个氧化物-氮化物-氧化物（ONO）结构，并在没有被ONO结构占用的部分沟槽中，形成一个或多个导电结构。

主权项

一种用于制备半导体器件的方法，其特征在于，包括： 步骤a：在半导体层中制备一个沟槽；步骤b：在沟槽的侧壁和底部，形成一个氧化物‑氮化物‑氧化物结构，其中氧化物‑氮化物‑氧化物结构含有一个位于第一和第二氧化层之间的氮化层；以及步骤c：在没有被氧化物‑氮化物‑氧化物结构占用的一部分沟槽中，形成一个或多个导电结构。