一种双多晶应变SiGe SOI BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种制备双多晶应变SiGe SOI BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区，形成SiGe HBT器件；在衬底上生长应变SiGe材料，光刻NMOS和PMOS器件有源区，对NMOS器件区域进行P型离子注入，制备伪栅，自对准生成NMOS和PMOS器件的源漏区，去除伪栅，制备栅介质和金属钨（W）形成栅极，光刻引线，构成双多晶的应变SiGe SOI BiCMOS集成器件及电路，制备出双多晶、应变SiGe SOI BiCMOS集成电路，使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。

主权项

一种双多晶应变SiGe SOI BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变SiGe平面沟道，PMOS器件为应变SiGe平面沟道，双极器件基区为SiGe材料。