一种半导体结构

摘要

一种半导体结构，包括，第一、第二和第三层间结构。所述第一层间结构包括第一介质层（300）和第一接触塞（320），所述第一介质层（300）与栅极堆叠平齐或覆盖所述栅极堆叠，所述第一接触塞（320）贯穿所述第一介质层（300）且电连接于至少部分源/漏区（110）；所述第二层间结构包括盖层（400）和第二接触塞（420），所述盖层（400）覆盖所述第一层间结构，所述第二接触塞（420）贯穿所述盖层（400）并经第一衬层电连接于所述第一接触塞（320）和所述栅极堆叠；所述第三层间结构包括第二介质层（500）和第三接触塞（520），所述第二介质层（500）覆盖所述第二层间结构，所述第三接触塞（520）贯穿所述第二介质层（500）中并经第二衬层电连接于所述第二接触塞（420）。还提供了一种半导体结构的制造方法，利于节约面积以提高半导体结构的集成度。

主权项

半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：栅极堆叠，所述栅极堆叠形成于衬底上；源/漏区，所述源/漏区位于所述栅极堆叠两侧且嵌于所述衬底中；第一层间结构，所述第一层间结构包括第一介质层和第一接触塞，所述第一介质层与所述栅极堆叠平齐或覆盖所述栅极堆叠，所述第一接触塞贯穿所述第一介质层且电连接于至少部分所述源/漏区；第二层间结构，所述第二层间结构包括盖层和第二接触塞，所述盖层覆盖所述第一层间结构，所述第二接触塞贯穿所述盖层并经第一衬层电连接于所述第一接触塞和所述栅极堆叠；第三层间结构，所述第三层间结构包括第二介质层和第三接触塞，所述第二介质层覆盖所述第二层间结构，所述第三接触塞贯穿所述第二介质层中并经第二衬层电连接于所述第二接触塞所述半导体结构还包括接触层，所述接触层只夹于所述源/漏区与第一接触塞之间。