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发明名称 Diode memory
摘要 A diode memory device has an intermediate structure between the two terminals, such as a p terminal and the n terminal.
申请公布号 US8284597(B2) 申请公布日期 2012.10.09
申请号 US20100904792 申请日期 2010.10.14
申请人 CHANG KUO-PIN;LUE HANG-TING;MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 发明人 CHANG KUO-PIN;LUE HANG-TING
分类号 G11C11/36 主分类号 G11C11/36
代理机构 代理人
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