发明名称 |
Aktivierung von Graphen-Pufferschichten auf Siliciumcarbid |
摘要 |
Ein Verfahren zum elektrischen Aktivieren einer Struktur, die eine oder mehrere Graphenschichten aufweist, die auf einer Siliciumcarbidschicht gebilden Oxidationsverfahren, um eine Siliciumoxidschicht zu bilden, die zwischen der Siliciumcarbidschicht und der untersten der einen oder mehreren Graphenschichten angeordnet ist, wodurch die unterste Graphenschicht elektrisch aktiviert wird.
|
申请公布号 |
DE112010003772(T5) |
申请公布日期 |
2012.10.04 |
申请号 |
DE201011003772T |
申请日期 |
2010.08.31 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. |
发明人 |
HANNON, JAMES BOWLER;MCFEELY, FENTON READ;YURKAS, JOHN JACOB;OIDA, SATOSHI |
分类号 |
H01L29/16 |
主分类号 |
H01L29/16 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|