METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS SEMICONDUCTOR LAYERS

摘要

Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind Verfahren zur Herstellung von amorphen Halbleiterschichten auf einem Substrat durch Aufbringen einer Halbleiterverbindung der Form EaE'nXm mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 330 - 10000 g/mol, wobei E, E' = Si, Ge; X = F, Cl, Br, I, -C1-C12-Alkyl, -C1-C12-Aryl, -C1-C12-Aralkyl, H; m > n+a und a+n = 3, und anschließendes Konvertieren der Halbleiterverbindung in eine amorphe Halbleiterschicht, wobei das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem, aus einem Wasserstoff-haltigen Prozessgas erzeugten Plasma erfolgt. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschichten, derartige Halbleiterschichten umfassende elektronische und optoelektronische Erzeugnisse.