SULPHUR-DOPED POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH DEEP PN JUNCTION

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelement, insbesondere für hohe Sperrspannungen, mit den Schritten: Bereitstellen eines p-dotierten Halbleiterkörpers, der eine Vorderseite und eine dieser gegenüberliegende Rückseite aufweist; Eindiffusion von wenigstens Schwefel bis zu einer Tiefe von wenigstens 50% der Ausdehnung des Halbleiterkörpers ausgehend von der Rückseite in einer vertikalen Richtung, um in der vertikalen Richtung aufeinander folgend eine stark n-dotierte Zone, eine schwach n-dotierte Zone und eine schwach p-dotierte Zone in dem Halbleiterkörper auszubilden, wobei zwischen der schwach n- dotierten Zone und der schwach p-dotierten Zone ein pn-Lastübergang ausgebildet ist.