| 发明名称 | 形成栅极结构侧墙的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成栅极结构侧墙的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖栅极结构和半导体衬底的氧化物层；向所述氧化物层中掺杂氮离子；形成覆盖所述氧化物层的侧墙层；刻蚀所述侧墙层，刻蚀停止在栅极结构顶部和半导体衬底上的氧化物层表面或内部；对氧化物层进行过刻蚀，去除半导体衬底和栅极顶部的所述氧化物层。本发明提高了形成栅极结构侧墙方法中刻蚀步骤的精确度。 | ||
| 申请公布号 | CN102087965B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200910199996.2 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩秋华;黄怡;刘佑铭 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖栅极结构和半导体衬底的氧化物层，所述氧化物层的厚度为10埃～50埃；向所述氧化物层中掺杂氮离子，所述掺杂氮离子的方法为去耦等离子体渗氮，所述掺杂氮离子的参数为：时间50～120S，N2和O2的流量比9∶1，反应腔室压力100～150torr，射频功率1000W～2000W；形成覆盖所述氧化物层的侧墙层；刻蚀所述侧墙层，刻蚀停止在栅极结构顶部和半导体衬底上的氧化物层表面或内部；对氧化物层进行过刻蚀，去除半导体衬底和栅极顶部的所述氧化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||