半导体装置的制造方法、半导体装置及显示装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置的制造方法、半导体装置及显示装置。该半导体装置的制造方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序，在该第一工序中形成包括器件部的基体层，该器件部具有栅极电极以及覆盖该栅极电极而形成的平坦的层间绝缘膜，在该第二工序中，利用离子注入法向基体层注入剥离用物质，来形成剥离层，在该第三工序中，将基体层贴在基板上，在该第四工序中，沿剥离层分离并除去基体层的一部分，栅极电极及层间绝缘膜的剥离用物质的注入射程实质上相等。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：第一工序，形成包括器件部的基体层，该器件部具有：半导体层、与该半导体层重叠的栅极电极以及覆盖该栅极电极和所述半导体层而形成的平坦的层间绝缘膜，第二工序，利用离子注入法，经由所述层间绝缘膜或者经由所述层间绝缘膜以及所述栅极电极，向所述基体层的所述半导体层注入剥离用物质，来形成剥离层，第三工序，将形成有所述器件部的所述基体层贴在基板上，以及第四工序，沿所述剥离层分离并除去已贴在所述基板上的所述基体层的所述半导体层中未形成所述器件部的一部分；在所述第一工序中，在所述栅极电极的表面形成金属膜之后，对于所述栅极电极以及所述金属膜进行热处理，使所述栅极电极含有金属原子，从而使得，在所述第二工序中，在形成有所述层间绝缘膜以及所述栅极电极的区域、未形成所述栅极电极而形成有所述层间绝缘膜的区域中，对于所述半导体层的所述剥离用物质从所述层间绝缘膜的表面的注入射程实质上相等。