一种非挥发性存储器以及其制造、编程和读取方法

摘要

本发明提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器，其中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；所述源极与位线相连，所述漏极与字线相连。本发明还提供了一种浮栅结构的非挥发性存储器的制造方法，包括：形成基材，所述基材包括衬底；在所述衬底的上部形成离子注入区；形成源漏对称管；所述源漏对称管的漏极位于所述离子注入区内，所述离子注入区的一部分位于所述源漏对称管的浮栅的下方，与浮栅部分重叠。本发明既不需要额外形成控制栅，也不需要形成选通管，即实际上本发明的存储单元只包含一个管子，其面积较小，符合现代半导体器件的发展需求。

主权项

一种浮栅结构的非挥发性存储器，其特征在于，其中的存储单元包括：源极、漏极和浮栅；所述浮栅和漏极之间的耦合电容大于所述浮栅和源极之间的耦合电容；所述源极与位线相连，所述漏极与字线相连。