具有各向异性磁阻效应的锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种具有大各向异性磁阻效应的锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用。该薄膜，是由NdGaO3单晶基片和在所述NdGaO3单晶基片上外延生长的La0.67Ca0.33MnO3薄膜组成；所述NdGaO3单晶基片的晶面取向为001方向。其制备方法，包括如下步骤：利用脉冲激光沉积的方法，在NdGaO3单晶基片上外延生长La0.67Ca0.33MnO3薄膜，沉积结束后先进行原位退火降至室温，再于氧气气氛中进行退火，得到所述锰氧化物外延薄膜。本发明提供的锰氧化物外延薄膜，其各向异性磁阻效应从对磁场角度的灵敏度和温度稳定性上优于同类薄膜，在磁传感领域具有广阔的应用前景。

主权项

锰氧化物外延薄膜在制备各向异性磁阻传感器中的应用；所述锰氧化物外延薄膜，是由NdGaO3单晶基片和在所述NdGaO3单晶基片上外延生长的La0.67Ca0.33MnO3薄膜组成；所述NdGaO3单晶基片的晶面取向为001方向；所述NdGaO3单晶基片的厚度为0.3‑0.5毫米，所述La0.67Ca0.33MnO3薄膜的厚度为20‑45纳米。